简介:
铈离子掺杂的钆铝镓石榴石晶体简称Ce:GAGG晶体,其化学式为Ce:Gd3Al2Ga3O12,该晶体具有密度高、透过率高、有效原子序数大、光产额高、衰减时间快、能量分辨率好、物化性能稳定、无自辐射,无潮解,加工特性好等优异的性能,因此其被认为是众多氧化物闪烁晶体中的晶体之一。
Ce:GAGG晶体在540nm波段有较高的光输出响应,使其与硅光电二极管能够极好地匹配。该晶体可大尺寸生长,加工性能好,能够加工高128通道的阵列产品,小像素支持0.3mm。
Ce:GAGG晶体良好的闪烁性能及物化特性,使其广泛用于高能粒子探测、 核物理、 安检、 工业探测等领域。尤其是其快衰减特性及低余晖特性使得在PET影像系统,人体、工业、无损检测、安检及X-CT等其他成像应用领域得到极为广泛的使用。
特点:
光产额高
能量分辨率高
衰减速率快
低余晖
物化性能稳定;
加工性能好;
应用:
高能射线谱仪
辐射探测
无损检测
安检PET
物化性能:
化学式 | Ce:Gd3Al2Ga3O12 |
掺杂浓度 | 0. 1~2 at% |
生长方向 | [100]/[111] |
晶体结构 | 立方 |
晶格参数 | 12.26Å |
密度 | 6.63 g/cm3 |
熔点 | 1850°C |
折射率 @0.55 μm | n=1.9 |
硬度(莫氏) | 8.0 |
中心波长 nm | 540 |
光产额 | 54000 |
能量分辨率@662KeV | 7% |
衰减时间 ns | 94 (90%) |
常规产品及加工指标:
尺寸规格 | 25*25 mm2或其它 |
平行度 | 30 arcsec |
光洁度 | 20-10 |
平面度 | λ/8 |
波前畸变 | λ/4 |
有效孔径 | 90% |
崩边 | < 0.1 mm |
倒角 | < 0.1mm×45° |
阵列 | 16/32/64/128通道 |
最小像素 | 0.3mm |