巴彦淖尔镇PS115-L2-25-S2-P2硬齿面行星减速箱

EAMON/伊明牌ABR转角行星减速机
产品特点
1. 高精度：
单节背隙低于3弧分，双节背隙低于5弧分
2. 高强度：
使用滚珠轴承，提高了刚性和扭矩
3. 安装：
伺服电机与输入法兰直连，安装简单
4. 润滑：
使用高粘度、不易分离的润滑脂，有效防止润滑脂泄漏在产品寿命期内无需更换润滑脂，




巴彦淖尔镇PS115-L2-25-S2-P2硬齿面行星减速箱
也可以通过指令树的项目进入子程序SUB0显示区。添加一个子程序时，可以用编辑菜单的插入项增加一个子程序，子程序编号n从0开始自动向上生成。用鼠标右键点击指令树中的子程序或中断程序的图标，在弹出的菜单中选择“重新命名”，可以修改它们的名称。子程序可能有要传递的参数（变量和数据），这时可以在子程序调用指令中包含相应参数，它可以在子程序与调用程序之间传送。参数（变量和数据）必须有符号名（最多8个字符）、变量和数据类型等内容。

巴彦淖尔镇PS115-L2-25-S2-P2硬齿面行星减速箱


TCB060 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB060 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB060 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB090 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB090 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB090 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB115 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB115 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB115 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB140 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB140 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB140 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB180 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB180 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB180 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB60 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB60 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB60 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB90 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB90 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB90 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB142 -L1 -3 4 5 6 7 8 10 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB142 -L2 -12 15 16 25 30 35 40 -S2 -S1 -P2 -P1
TCB142 -L2 -32 50 60 70 80 100 28 -S2 -S1 -P2 -P1



MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。
巴彦淖尔镇PS115-L2-25-S2-P2硬齿面行星减速箱