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>NCL30000非隔离降压及降压-升压拓扑结构对比
从拓扑结构来讲,降压拓扑结构的不足是输入电流波形取决于输出电压。在这种配置下,由于电感与LED串采用串联配置,仅在输入电压超过LED正向压降(VF)时有电流流过;CrM及恒定导通时间工作可提供高功率因数;直接感测LED电流;低环路带宽支持高功率因数工作;MOSFET电流等于LED峰值电流;MOSFET电压应力等于峰值主电源电压;功率因数(PF)及总谐波失真(THD%)性能取决于输出压降与输入电压之比(VF/Vin),比例越高,PF越低;比例越高,THD越高。
相比较而言,降压-升压拓扑结构的输入电流波形跟负载无关,具有高功率因数、良好的总谐波失真性能。降压-升压配置下,电感与LED串并未串联,输入电流波形或失真与输出压降(VF)无关;固有的LED故障保护功能可在MOSFET短路时提供保护;LED正向压降可以高于或低于输入电压;MOSFET开关电压应力为输入电压与输出压降之和(Vin+Vout)。
2) 基于NCL30000.html



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