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日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部位于日本京都市)开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车(EV)和混合动力车(HEV)逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。
本产品融合了罗姆独创的BiCDMOS技术与新开发的片上变压器工艺技术，作为内置了绝缘元件的栅极驱动器，是业界最小※的小型封装，有助于逆变器电路的小型化。另外，与传统的光耦方式相比，可大幅降低耗电量，而且由于具备了所有必要的保护功能和品质要求，可减少设计时的工作量。
不仅如此，还支持作为新一代功率半导体备受期待的SiC(Silicon carbide：碳化硅)的功率MOSFET的高速开关，非常有助于实现更加高效、更加低功耗的新一代电动汽车。
生产基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)，预计从2012年6月份开始销售样品(样品价格：1,000日元)，从 2012年9月份开始以月产1万个的规模投入量产。
※根据罗姆的调查(截至2012年5月22日)
近年来，随着EV和HEV的不断普及，为了进一步提高性能，对动力单元的逆变器电路小型化的要求高涨。一方面，一般每个车载用逆变器内置6个栅极驱动器，为了实现逆变器电路的小型化，栅极驱动器的小型化势在必行。此外，在车载特有的苛刻的驱动环境中，为实现确保安全性的逆变器电路，不仅需要各种保护功能，为了防止驾驶员触电，作为绝缘元件必须配备光耦等外置零件。在这种情况下，对于内置绝缘元件、并且小型的栅极驱动器的需求日益高涨。
另一方面，有望内置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆变器电路时，解决其高速开关性能所导致的噪音也已成为重大课题。
此次罗姆采用独创的微细加工技术，开发出片上变压器工艺，进而成功开发出小型并且内置了绝缘元件的栅极驱动器。无需外置零件，同时通过采用小型封装，与传统产品相比，安装面积减少了约50%。不仅如此，由于内置车载逆变器电路所需的全部保护功能，不仅有助于实现逆变器的小型化，还非常有助于减轻设计负担。
另外，针对逆变器电路中内置SiC元件、模块时的噪音，通过与引以为豪的“业界最”的罗姆自产SiC元件、模块相结合进行开发，以的电路设计成功解决了这个问题，从而成为业界支持SiC的内置绝缘元件的栅极驱动器。
罗姆将以SiC为首的功率元件事业作为发展战略之一定位，于2012年3月世界首家开始了“全SiC”功率模块的量产。今后，罗姆继续推进限度发挥SiC特性的栅极驱动器的开发，同时，还将推进SiC-IPM(智能功率模块)等的开发，不断完善SiC相关产品的阵容。
<特点>
1) 通过罗姆独创的无铁芯变压器技术，内置2,500Vrms绝缘元件
2) 小型封装与传统产品相比，SSOP-B20W( 6.5mm×8.1mmH=Max 2.01mm)将安装面积减少了50%以上
3) 通过内置所有的保护功能，实现安全设计内置了车载逆变器电路所要求的全部保护功能：米勒钳位功能、故障输出功能、低电压时误动作防止功能、热保护功能、短路保护功能、短路保护时软关断功能。
《主要规格》
4) 还支持SiC的高速开关业界支持SiC元件电路的产品。罗姆生产的SiC可以在800V、400A输出状态下确保稳定驱动。
<术语解说>
?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor的简称)绝缘栅双极晶体管。在栅极构建了MOSFET的双极晶体管。?MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffectTransistor的简称)金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
嘉蕙电子厂成立于2012年，公司是一家以电子元器件为主的经销商，主要收购进口IC芯片，二三极管，国产海思及长电三极管，NCE新洁能MOS管，微盟电源IC，应用领域，客户群体遍布全国各地,拥有400万国内库存及上1000万国外库存，主要寻求TI、AD、ST、MAX、ON、TE、ATMEL/MICROCHIP、TOS、VISHAY、RFMD、NXP、MOLEX、EAO、等100多个世界的集成电路厂家。 收电子元件品，收电子零件，你我共同的事业，循环利用，环保又赚钱
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