SPIFLASH存储器B25LV256MY
概 述
B25LV256/MY是128M位串行NORFLASH存储器，通过串行外设接口(SPI)和一套软件协议操作进行存储器读写。支持SPI单1O、双I0和4线1O模式。能够以扇区、块或者全片为单位进行擦除，能够以字节、页、字为单位进行编程。在启动擦除或编程指令后，自动执行内部擦除编程及校验算法。具备数据安全和保护功能。
主要特点
0 兼容型号:MXIC公司MX25L128
O 存储容量:256Mbits
O 工作频率:133MHz
〇工作电压:2.7V~3.6V(单电源)
0 支持SPlmode 0和mode 3
0 支持单10、双10、4线10读写
0 低压1.5V~2.5V下写保护
◎ 耐久性:100,000次擦写/编程
◎ 数据保持:20年
◎ 工作温度:-55℃~+125℃
O ESD等级:2000V
◎ 封装形式:
TSOP16(B25LV128MO)
PBGA24(B25LV128MY)
TSOP8(B25LV128BMO)
◎ 外形尺寸:
10mmx10mm(TSOP16)
8mmx6mm(PBGA24)
7.5mmx5mm(TSOP8)
质量等级：
GJB N1级
概 述
XB25LV128/MY是128M位串行NORFLASH存储器，通过串行外设接口(SPI)和一套软件协议操作进行存储器读写。支持SPI单1O、双I0和4线1O模式。能够以扇区、块或者全片为单位进行擦除，能够以字节、页、字为单位进行编程。在启动擦除或编程指令后，自动执行内部擦除编程及校验算法。具备数据安全和保护功能。
主要特点
0 兼容型号:MXIC公司MX25L128
O 存储容量:256Mbits
O 工作频率:133MHz
〇工作电压:2.7V~3.6V(单电源)
0 支持SPlmode 0和mode 3
0 支持单10、双10、4线10读写
0 低压1.5V~2.5V下写保护
◎ 耐久性:100,000次擦写/编程
◎ 数据保持:20年
◎ 工作温度:-55℃~+125℃
O ESD等级:2000V
◎ 封装形式:
TSOP16(B25LV128MO)
PBGA24(B25LV128MY)
TSOP8(B25LV128BMO)
◎ 外形尺寸:
10mmx10mm(TSOP16)
8mmx6mm(PBGA24)
7.5mmx5mm(TSOP8)
质量等级：
GJB N1级
