2 Mb和4 Mb串行SAM 器件解决了串行SAM常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI（每个时钟周期 4 位），将总线速度提高到143 MHz，大大缩小了串行和并行解决方案之间的速度差距。　　除了2000 V CoolSiC MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC?二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC?二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。linear开关电源芯片