**碳化硅（SiC）产品介绍**  


---


### **一、材料概述**  
碳化硅（Silicon Carbide, SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有金刚石型晶体结构，兼具宽禁带、高导热、高击穿场强、耐高温和抗辐射等优异特性，被誉为“第三代半导体材料”的典型代表。  
- **关键特性**：  
  - **宽禁带**（3.2 eV，约为硅的3倍），支持高温、高频、高压工作环境。  
  - **高热导率**（4.9 W/cm·K），散热能力远超硅（Si）和砷化镓（GaAs）。  
  - **高击穿场强**（2.8 MV/cm，约为硅的10倍），器件耐压能力显著提升。  
  - **高电子饱和漂移速度**（2×10⁷ cm/s），适合高频开关应用。  
  - **化学稳定性**：耐腐蚀、耐高温氧化（工作温度可达600°C以上）。  


---


### **二、核心优势**  
1. **高效节能**  
   SiC器件（如MOSFET、二极管）导通电阻低、开关损耗小，可提升系统效率5%~10%，适用于高功率密度场景。  


2. **高温稳定性**  
   在200°C以上高温环境下性能稳定，减少散热系统复杂度及成本。  


3. **高频操作能力**  
   支持MHz级高频开关，缩小被动元件（电感、电容）体积，助力设备小型化。  


4. **高可靠性**  
   抗辐射、抗浪涌冲击，寿命远超传统硅基器件。  


5. **绿色环保**  
   降低能源转换损耗，减少碳排放，契合碳中和目标。  


---


### **三、典型应用场景**  
1. **电力电子与新能源**  
   - **电动汽车（EV）**：  
     - 车载充电器（OBC）、电机驱动逆变器，提升续航里程10%~15%。  
     - 快充桩：支持800V高压平台，实现超高速充电。  
   - **光伏/储能**：  
     - 光伏逆变器、DC-DC变换器，提高太阳能转换效率。  


2. **工业与能源**  
   - **智能电网**：高压直流输电（HVDC）、固态变压器（SST）。  
   - **工业电机驱动**：变频器、伺服控制器，降低能耗与噪音。  


3. **轨道交通**  
   - 牵引变流器、辅助电源系统，适应高温、振动严苛环境。  


4. **航空航天与国防**  
   - 飞机电源管理、雷达系统、卫星电源，满足高可靠性需求。  


5. **消费电子与通信**  
   - 5G基站电源模块、数据中心服务器电源，提升能效比。  
   - 快充适配器：支持GaN+SiC组合，实现超小体积百瓦快充。  


6. **光电子领域**  
   - LED照明：作为GaN外延衬底，提升发光效率与寿命。  
   - 紫外探测器：用于火焰监测、生化分析。  


---


### **四、技术参数（示例）**  
| 参数                | 典型值（4H-SiC）          |  
|---------------------|---------------------------|  
| 禁带宽度（eV）       | 3.2                       |  
| 热导率（W/cm·K）     | 4.9                       |  
| 击穿场强（MV/cm）    | 2.8                       |  
| 电子迁移率（cm²/V·s）| 900                       |  
|工作温度（℃）    | >600                      |  
| 晶圆尺寸            | 4英寸、6英寸、8英寸（量产中） |  


---


### **五、产品形态与定制化服务**  
- **衬底与外延片**：4H-SiC单晶衬底、SiC外延片（厚度与掺杂浓度可调）。  
- **功率器件**：SiC MOSFET、SBD（肖特基二极管）、功率模块。  
- **光电子器件**：SiC基GaN LED外延片、紫外传感器。  
- **定制化支持**：  
  - 晶向与晶面：偏轴（4° off-axis）或准同质外延。  
  - 掺杂类型：N型、P型、半绝缘型。  
  - 封装形式：TO-247、DFN、模块化封装。