瑞士SENIS模拟磁场传感器F3B-03C02F-A.1T25KJ:高空间分辨率三轴磁场测量方案
在需要对微小空间内的三维磁场矢量进行高分辨率、低噪声测量的应用场景中,如何确保测量的准确性、稳定性和空间分辨率?瑞士SENIS的F3B-03C02F-A.1T25KJ模拟磁场传感器提供了一种集成三轴霍尔探头的解决方案,能够精确测量X、Y、Z三个方向的磁场分量,适用于对测量点体积有严格限制的场合。赫尔纳供应,德国总部直接采购,近30年进口工业品经验,原装产品,支持选型,提供一对一解决方案。
公司介绍
SENIS AG是一家总部位于瑞士巴尔的专业公司,长期致力于开发、制造和供应先进的磁场测量与电流传感器及仪器。公司拥有ISO17025认证的校准实验室,其校准服务可溯源至国家计量标准,确保了产品参数的高精度与可靠性。SENIS在磁场传感领域,特别是在高空间分辨率集成霍尔探头技术上具有专业深度,其产品服务于全球工业客户和研发实验室。
产品类型
SENIS提供多系列的磁场传感器与变送器,主要类别包括:
· 模拟磁场变送器:将磁场强度线性转换为电压信号输出,如F3A、F3B系列。
· 数字特斯拉计:直接显示磁场强度读数的仪器。
· 霍尔探头:独立的传感元件,可供OEM集成,有多种几何尺寸。
· 多探头磁场变送器:集成多个传感单元,用于同步多点测量,如MPA系列。
· 电流传感器:基于磁场测量原理的非接触式电流检测方案。
主要型号
在模拟磁场变送器系列中,F3B代表集成三轴霍尔探头的型号。其型号编码通常包含探头类型、量程、带宽等信息。
型号系列 | 关键区别/描述 |
F3B | 集成三轴霍尔探头的模拟磁场变送器,用于同步测量三个正交方向的磁场分量。 |
F3A | 低噪声型三轴霍尔探头变送器,采用混合技术(离散霍尔传感器),具有高角精度(正交误差<2°)。 |
F1A | 集成单轴霍尔探头的模拟变送器,测量垂直于探头平面的磁场(By方向)。 |
IxA (I1A, I2A, I3A) | 集成1轴、2轴或3轴霍尔探头的变送器系列。 |
D3A | 双集成三轴霍尔探头变送器,用于实现极高的磁分辨率。 |
产品概述
F3B-03C02F-A.1T25KJ是一款将磁场强度转换为模拟电压输出的传感器。其核心是一个完全集成的三轴霍尔探头,该探头基于CMOS工艺制造,在单个芯片上集成了三组相互正交的霍尔元件、偏置电路、放大器和温度传感器。这种结构实现了对空间某一点上磁场矢量(Bx, By, Bz)的同步测量。
技术参数(基于F3系列典型特性)
· 测量轴数:3轴(X, Y, Z)。
· 空间分辨率:探头芯片面积微小(例如150μm x 150μm),可实现高空间分辨率测量。
· 频率带宽:从DC开始,可达25kHz或更高(F3A可达25kHz)。
· 噪声水平:可实现极低的噪声,例如10 nT/√Hz量级。
· 角精度:正交误差小(如<2°)。
· 温度补偿:探头集成温度传感器,用于补偿温漂。
优势特点
· 微小体积测量:集成CMOS探头芯片尺寸极小,能测量磁极间隙、磁体表面等狭小区域的真实点磁场,避免了大尺寸探头带来的空间平均效应。
· 同步三轴输出:单点即可同时输出三个正交方向的磁场分量,简化了系统结构,避免了使用三个单轴探头带来的安装对齐难题和位置误差。
· 抑制平面霍尔效应:采用旋转电流等技术偏置霍尔元件,有效抑制了平面霍尔效应,提高了测量的准确性,尤其是在测量非均匀磁场时。
· 低噪声与低干扰:设计上注重降低静电、感应及电缆拾取噪声,探头上的感应回路可忽略不计,适合高精度测量环境。
主要应用
· 永磁体质量控制与分选:精确测量磁体表面多个位置的磁场强度和方向,用于一致性检验和性能分级。
· 磁路系统设计与调试:在电机、磁轴承、磁屏蔽装置等系统的开发中,用于测绘内部三维磁场分布,优化设计方案。
· 科学研究与实验:在物理实验室中,用于表征电磁铁、亥姆霍兹线圈等产生的磁场均匀性及空间分布。
· 工业在线监测:集成到生产设备中,用于实时监测关键工艺环节的磁场状态,例如在半导体制造或磁性材料处理过程中。
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