徐州中能化学料拉制,品质绝对超高.60元/片(含税)  单晶硅制备方法 CZ   导电类型 　P   晶向 〈100〉   晶向偏差 ±3°   位错密度 ≤3000 atoms/cm2   氧含量 ≤1.0*1018 atoms/cm3   碳含量 ≤5.0*1016 atoms/cm3   少数载流子寿命 >10μs  转换率>17%   电阻率范围 0.5 -10Ω.cm   外观 无裂纹，无硬伤   准方型单晶片规格 125x125 mm   直径 150±1mm   边长 125±0.5 mm   垂直度 90°±0.3°   硅片厚度 240±30μm   TTV ≤40μm