技术要求 典型数值在27°C
氧化层厚度1000A
辐射Vth灵敏度 辐射场 = 0.125 MV/cm : 灵敏度 = 0.09mV/rad 辐射场= 0 MV/cm : 灵敏度= 0.014mV/rad (灵敏度在 30 krad(H2O)，在以下读写器的配置中使用一个恒量10µA)
温度补偿 TVTC
2.5mV/°C (该数据出自温度27°C-100°C线性模式中的外推Vtp数值) 线性模式中Z.T.C. 数值 ~ 3µA (Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 饱和模式中Z.T.C.数值 ~ 30µA (使用以下读写器电路配置) 预辐射剂量计的特点 阈值电压（外推）-2.15 +/- 0.1V Vth漂移时间（秒）2.2mV/十年 (该数据出自读写器配置强迫40µA.) 氧化层击穿电压 ~ 75V 沟道漏电流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA 亚阈值斜率100 +/- 20 mV/十年 沟道电阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms 北京华恒鑫达科技发展有限公司还提供深水高纯锗谱仪、蓄水池全自动水样核素活度监测系统、同轴高纯锗探测器GCD系列（液氮致冷）、平面型高纯锗探测器GPD系列（液氮致冷）、便携式高纯锗γ射线谱仪、手持式高纯锗探测器、自带铅室高纯锗谱仪、液体和气体流量核素分析的屏蔽高纯锗谱仪、移动式高纯锗谱仪（现场使用）、X γ射线高纯锗谱仪（电致冷）、流动式高纯锗谱仪、CdZn TeCdTe探测器和相关电子附件等相关产品。