-------------------------------------------------------------------------------- 详细介绍 --------------------------------------------------------------------------------
MKP-GTO型缓冲保护电容
MKP-GTO型缓冲保护电容是专门设计的,特别是削弱GTO(Gate-Turn-Off)场效应管和 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)双极性绝缘效应管使用时遇到的尖峰电压.
电容器制造采用干式技术,采用金属化聚丙烯薄膜和组装在圆形塑料壳内,用阻燃填充料密封.这样结构造就了显著的优点,如:
·极低的电感
·极高的脉冲可靠性
·极高的额定电流承载能力
·卓越的自愈能力
·极高的碰撞和振动抵抗能力
·优越的机械结构稳定能力
·几乎是无限长的寿命
序 号 型 号 额定电压 容量范围 （MFD） 直流电压 交流电压 1 MKP-GTO 1000VDC 500VAC
1.0 ~ 10.0 2 MKP-GTO 1200VDC 550VAC
1.0 ~
8.0 3 MKP-GTO 1600VDC 600VAC
1.0 ~
5.0 4 MKP-GTO 2000VDC 650VAC
1.0 ~
4.0 5 MKP-GTO 2500VDC 1000VAC 0.47 ~
2.2 6 MKP-GTO 3000VDC 1200VAC 0.47 ~
1.5 7 MKP-GTO 4000VDC 1500VAC 0.22 ~
1.0
产品详细资料GTO缓冲保护电容器PDF附件