★ 当期间两端电压升高，超过器件直流击穿电压（Vs电压）时，微隙处开始放电，微隙附近气体被电离，放电电流经Si芯片流向另一电极。随着放电电流的增大，Si芯片上压降增大，气体电离区也随之增大，放电电流转为经气体电离区流向另一极，器件完全导通。由于电极与芯片提供了初始放电所需的大量自由电子，它的放电反应速度大大提高。而器件导通是电流的主要信道是气体电离区，因此它的浪涌电流的承受能力很大，接近于气体放电管。
强效放电管，防雷管 玻璃放电管,强效放电管，防雷管