V-Sorb 2800S静态容量法钴酸锂,锰酸锂,石墨的比表面特点

A.钴酸锂,锰酸锂,石墨的比表面真空系统

1)的一体化集装式管路系统,采用进口集装管路,显著减少管路连接点,大大降低漏气率,提高极限真空度;

2)模块化结构设计,一体式集装管路,需人工进行连接的部件少,有利于根据用户需求按需配置及后期功能扩展,有利于维修更换;

3)采用德国进口的真空泵,噪音小,运行稳定,防油返功能卓越,极限真空度高,可达4x10－2Pa(3x10－4Torr);

B.钴酸锂,锰酸锂,石墨的比表面控制系统

1)采用广泛应用于工业控制系统中的可编程控制器电磁阀控制系统,抗干扰能力强,稳定性大大提高,安装及拆卸都非常方便;

2)独特设计的测试系统管路和样品处理管路分离结构,有效防止样品处理过程中产生的杂质对测试管路的污染;

C.钴酸锂,锰酸锂,石墨的比表面提高测试精度措施

1)采用与同类进口产品相同品牌的高精度硅薄膜压力传感器,压力测量精度为相应读数的0.15％,远远优于0.15％的全量程精度(FS)传感器;

2)与国外同类产品类似,采用0－10Torr(可选)和0－1000Torr双压力传感器,对测试范围内的压力采用分段测量,大大降低了低真空下的测量误差,0－10Torr(可选)的硅薄膜压力传感器精度远高于相同量程的皮拉尼电阻真空计(一般误差为10%-15％);

3)的一体化集装式管路系统,采用进口集装管路,显著减少管路连接点,大大减少死体积空间,有利于降低测量误差;

4)的步进式液氮面控制系统,确保测试全程液氮面相对样品管位置保持不变,彻底消除因死体积变化引入的测量误差;

5)独特设计的抽气及进气控制系统,有效防止样品抽真空和进气过程中的飞溅,确保测试气路的清洁和样品质量无损失,保护高精度压力传感器免受压力巨变可能导致的零点和线性漂移;

D.钴酸锂,锰酸锂,石墨的比表面数据采集及处理

1)采用高精度及高集成度数据采集模块,连接方便,误差小,抗干扰能力;采用业界标准的485通讯模式,有利于设备扩展和互连,可方便转换为所需的RS232和USB通讯模式;

2)多种理论计算模型数据分析,为用户提供全方位的材料分析方案;强大的测试数据归档保存,查询系统,有利于用户数据管理.

全自动静态容量法钴酸锂,锰酸锂,石墨的比表面性能参数

比表面测试方法及功能:氮吸附真空容量法(真空静态法),吸附及脱附等温线测定,BET法比表面积测定(单点及多点),Langmuir法比表面积测定,平均粒径估算,样品真密度测定,t－plot图法外比表面积测定;

测定范围:0.01(㎡/g)--至无上限(比表面积);

比表面测量精度:重复性误差小于1.5%;

比表面真空系统:V-Sorb的集装式管路及电磁阀控制系统,大大减小管路死体积空间,提高检测吸附气体微量变化的灵敏度,从而提高比表面积测定的分辨率;同时集装式管路减少了连接点,大大提高密封性和仪器使用寿命;

比表面液位控制:V-Sorb的液氮面控制系统,确保测试全程液氮面相对样品管位置保持不变,彻底消除因死体积变化引入的测量误差;

比表面控制系统:采用可编程控制器电磁阀控制系统,高集成度和抗干扰能力,提高仪器稳定性和使用寿命;

样品数量:同时进行2个样品分析和2个样品脱气处理;

比表面压力测量:采用压力分段测量的进口双压力传感器,显著提高低 P/Po点下测试精度,0-1000Torr(0-133Kpa),0-10Torr(0-1.33Kpa)(可选)

比表面压力精度:进口硅薄膜压力传感器,精度达实际读数的0.15％,优于全量程的0.15％,远高于皮拉尼电阻真空计精度(一般误差为10%-15％);

分压范围:P/Po 准确可控范围达5x10－6－0.995;

比表面极限真空:4x10－2Pa(3x10－4Torr);

样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等;

比表面测试气体:高纯N2气(99.999%)或其它(按需选择如Ar,Kr);

数据采集:高精度及高集成度数据采集模块,误差小,抗干扰能力强;

比表面数据处理:Windows兼容数据处理软件,功能完善,操作简单,多种模式数据分析,图形化数据分析结果报表.

全自动静态容量法钴酸锂,锰酸锂,石墨的比表面应用领域

1) 超微粉体，纳米材料，颗粒及纤维状材料比表面积分析测定；
2) 粉体材料生产及应用企业生产现场产品质量监测；
3) 高校及科研单位材料研究测试，吸附科学及BET理论教学实验；
4) 电池材料，催化剂，添加剂，吸附剂，陶瓷烧结材料，磁性材料，储能材料等相关性能测定；
5) 其它与材料表面性能相关的研究工作.