最新研发出依托悬浮区熔技术的区熔单晶硅，高纯含量。
区熔炉FZ-30晶体生长设备设计生长直径达4”，长度达2000mm的单晶硅。
区熔炉的主要规格：
上、下轴提拉速度
0~30毫米/分
上、下轴转速
0~30转/分
上行程

2000毫米
下行程

2600毫米
发生器频率



2.5MHZ
发生器功率
120KW
发生器功率控制通过可控硅整流器控制
0~100%