现货热销IRAMS10UP60B MOS 场效应管
深圳市飞捷士科技有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
IR 国际整流半导体
材料
ALGaAS铝镓砷
开启电压
1（V）
夹断电压
1（V）
低频跨导
1（μS）
极间电容
1（pF）
低频噪声系数
1（dB）
最大漏极电流
1（mA）
最大耗散功率
1（mW）
种类
结型JFET
沟道类型
N沟道
导电方式
增强型
封装外形
CER-DIP/陶瓷直插
用途
NF/音频低频
