特点最大控制容量（电压）使用环境温度端子形状国外标准包装方式形状漏电流耐电压类别触点构成连续负载电流导通电阻（平均）导通电阻（最大）输出端子间容量（平均）最大容许LED电流LED逆电压最大正向电流允许损耗动作LED电流（平均）动作LED电流（最大）复位LED电流（最小）复位LED电流（平均）LED压降（最大）动作时间 (平均)复位时间 (平均)全部允许损耗保存温度输入/输出间端子容量（平均）输入/输出间端子容量（最大）输入/输出间绝缘电阻（最小）

实现了低通导电阻的高性能Photo MOS

60V (AC/DC)

-40℃～+85℃

Through Hole

UL, C-UL

STICK

DIP6

1microA

1500V AC

PhotoMOS

1a

0.4A (AC/DC)

0.74 ohm

1.4 ohm

350pF

50mA

10V

1A

150mW

2.4mA

5mA

0.8mA

2.2mA

3V

0.41ms

0.08ms

410mW

-40℃～+100℃

1.3pF

3pF

1000MOhm