具体参数：

电阻率：６０～１２０（ｏｈｍ．ｃｍ）    导电类型：　Ｎ, P

纯度  ：９Ｎ（９９．９９９９９９９％）　　厚度：　根据你的需要

最新研发出依托悬浮区熔技术的区熔单晶硅，高纯含量。     区熔炉FZ-30晶体生长设备设计生长直径达4''                                

产量：　５０Ｔ／年