最新研发出依托悬浮区熔技术的区熔单晶硅，高纯含量。     区熔炉FZ-30晶体生长设备设计生长直径达4”，长度达2000mm的单晶硅。

区熔炉的主要规格：     

上、下轴提拉速度     0~30毫米/分         

上、下轴转速           0~30转/分             

 上行程       2000毫米       下行程        2600毫米              

发生器频率    2.5MHZ             

发生器功率   120KW             

发生器功率控制通过可控硅整流器控制     0~100%  
产量 ：50 台/ 年

三包期为一年，终身负责维修