图1为2400℃钨丝网加热体钨屏烧结炉，用于钨合金的烧结，出口中东。

图2为2400℃钨丝网加热体钨屏烧结炉，用于纯钨半导体材料的烧结，自用。

图3为2300℃钨丝网加热体钨屏烧结炉，用于氮化铝晶体生长，生长工艺为气相沉积法，中科院北京半导体所用。