＊制冷晶片很怕水气。如果水气进入晶片內部，会在晶片冷面部位結露。結露不仅降低致冷能力，也会腐蚀晶片。因此有些晶片是有经过防潮密封的加工步骤。通常是在晶片的四周涂上一圈密封胶，以防气进入。另有一种步骤，是把晶片在防水漆中浸泡一遍。不管采用那一种步骤，晶片的致冷能力会降低。因为沒有任何一种密封胶或防水漆是百分之百的隔熱。晶片熱端陶瓷板的热能，会透过密封胶或防水漆回流到冷端陶瓷板这一边。你须要评估致冷晶片使用的场合，而决定是否采用帶有防潮密封的晶片。 

＊一般制冷晶片厚度误差为＋/－0.1mm。如果有２片以上晶片要共用一組散热器及散冷器，厚度误差以不超过＋/－0.02mm为宜。购买时要认清楚。

＊制冷晶片承受压力的范围为150psi至300psi。压力太低，会造成面与面接触不良。压力太大，会压坏晶片。

＊如果晶片左右两旁各锁一个螺丝。这两颗螺丝点所连成的直线，要与散热器或集冷器上的鰭片同一个方向。如此散熱器或集冷器才不易变形弯曲。螺丝锁好之后，隔时或隔日再重新检查一遍螺丝的扭力。这一点非常重要。

＊生产晶片所使用的焊锡为低熔点焊锡(例如138℃)。测试晶片功能，热面一定要有散热器。不然热面温度便很容易超过焊锡熔点。有的晶片本身不附帶电源线，如要焊接电源线，不可使用高熔点焊锡(例如 180℃)。

＊本厂所提供的致冷晶片，具有超强致冷能力，欢迎各位多多比较。

半导体致冷器作为特种冷源，在技术应用上具有以下的优点和特点：

1、 不需要任何致冷剂，可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会产生回转效应，没有滑动部件，是一种固体器件，工作时没有震动、噪音、寿命长、安装容易。

2、 半导体致冷器具有两种功能，既能致冷，又能加热，致冷效率一般不高，但致热效率很高，永远大于1。因此使用一个器件就可以代替分立的加热系统和致冷系统。

3、 半导体致冷器是电流换能型器件，通过输入电流的控制，可实现高精度的温度控制，再加上温度检测和控制手段，很容易实现遥控、程控、计算机控制，便于组成自动控制系统。

4、 半导体致冷器热惯性非常小，致冷致热时间很快，在热端散热良好冷端空载的情况下，通电不到一分钟，致冷器就能达到最大温差。

5、 半导体致冷器的反向使用就是温差发电，半导体致冷器一般适用于中低温区发电。

6、 半导体致冷器的单个致冷元件对的功率很小，但组合成电堆，用同类型的电堆串、并联的方法组合成致冷系统的话，功率就可以做的很大，因此致冷功率可以做到几毫瓦到上万瓦的范围。

7、 半导体致冷器的温差范围，从正温90℃到负温度130℃都可以实现。