SymbolParameterConditionsMinTyp/NomMaxUnit
VDRM | repetitive peak off-state voltage | | | | 1000 | V |
ITSM | non-repetitive peak on-state current | full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 20 ms | | | 65 | A |
IT(RMS) | RMS on-state current | full sine wave; Th ≤ 73 °C | | | 8 | A |
Static characteristics
IGT | gate trigger current | VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+; Tj = 25 °C | 2 | 6 | 35 | mA |
IGT | gate trigger current | VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-; Tj = 25 °C | 2 | 13 | 35 | mA |
IGT | gate trigger current | VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-; Tj = 25 °C | 2 | 23 | 35 | mA |
BTA208X-1000c
恩智浦丰富多样的三端双向可控硅与闸流管产品线包含具有高换向性 (High Commutation) 的 3 象限三端双向可控硅、4 象限三端双向可控硅与硅控整流器件 (SCR, Silicon Controlled Rectifier),在应用上,它们提供了许多家用电器中控制芯片与交流负载间的接口。
恩智浦的 3 象限高换向性三端双向可控硅是为任何负载提供可靠控制的最佳选择,在控制非线性、电感性或电容性负载时,,它们卓越的抗电噪声与错误触发功能可以降低许多标准 4 象限三端双向可控硅所需的保护器件需求。
超过 1000V 的保证电压规格可以满足最严格的马达方向控制需求,而闸极电流范围则从易于驱动的 5 mA 到拥有最佳抗错误触发功能的 50mA。
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