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型号:SPP20N60C3
封装:P-TO220-3-1
极限电压:650V（V）
极限电流:20.7A（A）

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第三代CoolMOS技术
CoolSET F3可使最低待机功耗仅为75mW。
CoolSET F3是集成式多芯片封装的芯片，它包含了基于英飞凌CoolMOS技术的MOSFET管和新型固定频率的PWM。在DIP-8封装中，10V栅压下的最大导通电阻仅为650亳欧，比目前市面上同类产品的阻值要小。该器件中的核心技术是CoolMOS，它是英飞凌的专有技术，于去年推出，今年已发展到第五代产品。集成在CoolSET F3中的就是第五代CoolMOS。与前几代产品相比，它CoolSET F3有以下几个主要改进。

1， SPP20N60C3中加入了650V的启动单元(以前是外置)，因此自激活起始电路不需要外部降压电阻器，从而缩短上电时间，降低系统成本。
2， 通过在65Khz上下振动，加入了抖动功能，使得EMI降低，可以减小用户额外的滤波器要求。目前ICE3B 0365和ICEB0565J两颗芯片中已有此功能。
3， 增加了主动突发模式，减小开关次数，但又可保持稳压，对负荷激增的突发状态也有实时反应机制。
4， 增加了峰值功率限制功能，SPP20N60C3使输出功率不受制于供电电压，这是一个非常重要的特性，因为许多便携设备的电源转换器的电压输入范围是世界通用的。此外，它不再需要预留较大的峰值余量。
MOSFET的开关损耗可以用下式来估算:
其中,Eon和Eoff为导通和关断时的能量损耗,其具体的数值能在MOSFET的数据手册中查到,fsw是开关频率。
对于300W的设计,如果使用SPP20N60C3,导通损耗为:
假设开关电流大约为6A,并且栅驱动电阻Rg=3.6W,则开关损耗:
总损耗为:
则MOSFET散热器热阻必须为:
栅驱动电阻被用来尽可能快地驱动MOSFET,并且还要保证将dv/dt控制在EMI的规范要求之内。在这个300W的实例中,为SPP20N60C3 MOSFET选择3.6W的栅电阻。
除栅极驱动电阻外,通常还在MOSFET的栅和源之间连一个10kW的电阻来为栅电容放电。