供应国产仙童功率管TIP41C  TO-220

      TIP41C晶体管的BVCBO要求为280 V，因此，对于电阻率ρc为25 Ω·cm的硅晶体管，集电区厚度WC≈20μm。假设使用掺As衬底材料，反扩散层厚为2μm，则外延层厚度T应等于30μm。所以，可取材料外延层厚度为30+2μm。