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供应日本东芝IGBT模块MG600Q1US51
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产品属性
图文详情
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品牌/型号
TOSHIBA/东芝/MG600Q1US51
品牌
TOSHIBA/东芝
型号
MG600Q1US51
种类
绝缘栅MOSFET
沟道类型
N沟道
导电方式
耗尽型
用途
MOS-INM/独立组件
封装外形
/无引线陶瓷片载
材料
IGBT绝缘栅比极
开启电压
1200(V)
夹断电压
0(V)
低频跨导
1(μS)
极间电容
1(pF)
低频噪声系数
1(dB)
最大漏极电流
600(mA)
最大耗散功率
60000(mW)
控制方式
其他
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