说明
       该仪器主要用于测定切割后的硅单晶晶片表面及参考面的角度，也可用于测定其它种类单晶材料的晶片。仪器配有吸气泵。可测定直径为 3-8 英寸的晶片，测定晶面为 100 、 110 、 111 、 210 等。该仪器为双工作台，可同时完成相同任务，也可分别测定晶片表面和参考面，根据用户需要配置。 



主要参数：
       精度±30″，数字显示，最小读数10″。 
        精度±15″，数字显示，最小读数1″。

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