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富士IGBT模块 2MBI150U4H-120-50
1台起批
1.00
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产品属性
图文详情
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品牌/型号
FJD日本富士电机/2MBI150U4H-120-50
封装材料
塑料封装
材料
P-FET硅P沟道
关断速度
普通
种类
绝缘栅MOSFET
极数
三极
封装外形
SP/特殊外形
型号
2MBI150U4H-120-50
用途
DC/直流
品牌
FJD日本富士电机
导电方式
增强型
沟道类型
P沟道
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