PM200RSE060 中文资料的详细描述：
    特点：
  a）采用新的第四代平面型IGBT芯片，其中每性能提高了1微米的细治国的进程。
  例如，典型的V CE（SAT）=1.7V
  ）利用新的二极管，其目的是获得软反向恢复特性。
  •3φ200A，600V电流检测IGBT15kHz的开关
  •75A，600V电流检测再生制动IGBT
  •单片栅极驱动和保护逻辑 过检测，保护和状态指示电路电流，短路，过温与欠电压
  •噪音少22KW级逆变器的应用

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