--由6N高纯度铜材料通过添加微量元素制成，具有单晶体的简单结构。

--具有较低的球硬度和线硬度（非常接近于金丝），易于键合压焊，而不会损伤芯片。

--优秀的导电、导热特性，电阻率1.63µΩ×cm。

--良好的表面抗氧化性能。

--非常低的材料成本，具有很好的价格竞争优势。

非常适用于半导体分立器件和各种IC的封装。

性能参数：