FQD7N20L/ FQU7N20L

Features
• 5.5A, 200V, RDS(on) = 0.75Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 6.8 nC)
• Low Crss ( typical 8.5 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• Low level gate drive requirement allowing direct
operation from logic drivers
200V逻辑N沟道MOSFET
一般说明
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管的生产利用飞兆半导体专有的，
平面条形DMOS技术。
这种先进的技术，特别定制，以尽量减少
通态电阻，提供优越的开关
性能和承受高能量脉冲
雪崩和通讯模式。这些器件
非常适合高效率的开关型DC / DC转换器，
开关电源和电机控制。

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