薄膜铂电阻:用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上,膜厚在2μm以内,用玻璃烧结料把Ni(或Pd)引线固定,经激光调阻制成薄膜元件。
型号
|
外型尺寸
W×L×Hmm
|
标称阻值R0
|
工作电流mA
|
引线尺寸
W×L×Hmm
|
工作温度
oC
|
误差
|
外型图
mm
|
CRZ-1632-Ni
|
1.6×3.2×1.0
|
100Ω
|
1
|
0.25×0.15×12
|
-40~450
|
1/3DIN
A
B
2B
|
|
CRZ-1632-Pd
|
0.3×0.2×10
|
-50~500
|
CRZ-2005-Ni
|
2.0×5.0×1.0
|
2
|
0.25×0.15×12
|
-40~450
|
CRZ-2005-Pd
|
0.3×0.2×10
|
-50~500
|
CRZ-2005-Ni
|
500Ω
1000Ω
|
0.5
|
0.25×0.15×12
|
-40~450
|
CRZ-2005-Pd
|
0.5
|
0.3×0.2×10
|
-50~500
|
ST-1003-Pt
|
1.0×3.0×1.3
|
20Ω
|
1
|
0.25×0.15×12
|
-50~500
|
◆ 薄膜铂电阻应用的注意事项
1. 直接使用元件或制成温度传感器测温时,避免超过测温量程,短时间内虽不会损坏亦影响产品寿命和精度;
2. 用薄膜铂电阻元件组装温度传感器时,在使用高温固化环氧胶灌封时,应注意其在固化过程中应力的变化,否则可能损坏元件(一般为开路); 在使用氧化镁或氧化铝充填过程中,应避免元件直接接触保护管尖锐的内表面,否则在振动过程中,有可能使元件的瓷片边缘破损,造成元件开路损坏;
3. 在制做温度传感器时,必须保证灌封材料的高度绝缘性能,否则会导致产品的电气绝缘性能降低,并且影响元件的测试数据,一般会导致测试电阻值偏低。
|