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场效应管 MOSFET
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品牌/型号
ST意法半导体/STP14NK50Z
导电方式
增强型
用途
AM/调幅
封装外形
P-DIT/塑料双列直插
材料
GE-N-FET锗N沟道
体管极性:ñ频道
电流, Id 连续:
6A
电压, Vds :
500V
在电阻RDS(上):
340mohm
电压 @ Rds测量:
10V
阈值电压, Vgs th 典型值:
3.75V
功耗, Pd:
150W
工作温度范围:
-55°C 到 +150°C
封装类型:
TO-220
针脚数:
3
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (20-Jun-2011)
功耗:
150W
封装类型:
TO-220
晶体管类型:
功率MOSFET
漏极电流, Id 值:
14A
电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
电压, Vds 典型值:
500V
电压, Vgs 最高:
30V
表面安装器件:
通孔安装
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