各类型,InGaAs雪崩光电二极管组件
特点:
Ø 高响应度
Ø 宽带宽
Ø 增益可达20
Ø 同轴尾纤式封装
应用:
Ø 微弱信号模拟光接收机
Ø OTDR
技术指标(TC=25℃):
参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
响应波长 | λ | | 1100 | | 1650 | nm |
光敏面直径 | Φ | | | 50 | | μm |
击穿电压 | VBR | Id=100μA | 30 | 45 | 60 | V |
击穿电压温度系数 | δ | Tc=25~85℃ | | 0.1 | 0.15 | V/℃ |
响应度 | R | λ=1310nm、M=1 | 0.8 | 0.85 | | A/W |
λ=1550nm、M=1 | 0.9 | 0.95 | |
暗电流 | Id | Φe=0、M=10 | | 1 | 10 | nA |
电容 | Ct | M=10、f=1MHz | | 0.4 | 1.0 | Pf |
-3dB带宽 | Fc | λ=1550nm、M=10 | 2 | 3 | | GHz |
光回损 | ORL | λ=1550nm、SM | 30 | | | dB |
工作电压 | VR | λ=1550nm、M=10 | 0.9~0.95VBR | V |
额定极限值:
Ø 正向电流:10mA
Ø 反向电流:3 mA
Ø 工作温度:-40~+85℃
Ø 存储温度:-40~+85℃
Ø 焊接条件:260℃/10S