S2386-8K 光电光敏滨松硅光电池Hamamatsu

Visible to IR sensitivity, low dark current, For analytical instruments

参数名称                          数值
参数名称 封装                    TO-8
Active Area                      5.8 x 5.8 mm
光谱响应范围                     320 to1100 nm
峰值波长                         960 nm
Photo Sensitivity at peak        0.6 A/W
Dark Current Max.                0.05 nA
Rise Time                        10 us
Terminal Capacitance             4300 pF
Shunt Resistance                 10 Gohm
Note 
Measurement Condition Typ. Ta=25 deg. C, unless otherwise noted
日本滨松Hamamatsu光电二极管，硅光电池。光敏二极管，现大量提供如下型号金属封装硅光二极管。S1133，S1087，S1336-44BK，S3399，S2386-18L,S1337-66BR,S1337-1010BR,S2387-66R,S1223-01、S1226-44BK、S1226-8BK、S1226-8BQ、S1336-8BK、S1336-8BQ、S1722-02、S2386-44K、S2386-45K、s2386-5k、s2386-8k
S3072、S1722-02、S3399、S1227-66BR、S1227-1010BR产品应用于分光光度计、分析仪器、医疗仪器、数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域我司（香港）备有大量货存，交货期7天。如无现货则需订货，订货期为45天。产品的简要参数请参照图片，详细参数请与我们联系！。