恒温晶振(OCXO)即高稳晶振,在时钟设备中主要用作核心本振源;频率稳定度(秒级间隔内的瞬时稳定度),相位噪声,中期稳定度,长期稳定度,温度频率稳定度等指标表征着OCXO品质,直接决定着时钟设备的整体的稳定和守时等特性;因此,选用一款高稳晶振需要综合考虑其性能,根据实际应用而定。
产品描述:
KOH36D高稳晶振,选用高真空,高Q,低老化率精密晶体,利用高灵敏积分式控温技术,让OCXO信号输出平稳,并且拥有整洁的频谱质量,高稳定度、低相位噪声、低老化率等特性;KOH36D型高稳晶振耐压值高达18V,开放四种LVTTL,HCMOS,CMOS,Sine可选波形,尺寸大小36×27×13mm.
核心技术指标:
标称频率:10.000MHz
电源电压:3.3V,5V,12V(可选)
启动功耗:<3.8W(持续时间60s)
稳态功耗:<1.2W(持续时间180s)
输出波形:Sine,LVTTL,HCMOS,CMOS(可选)
温度频率稳定度:±10ppb,±5ppb(可选)
频率稳定度(短稳):<5E-12@1s,<1E-11@10s
老化率(最大值):<0.5ppb/day,<0.05ppm/year
相位噪声(典型值):-130dBc@10Hz;-150dBc@100Hz;-158dBc@1KHz;-160dBc@10KHz
典型应用:
KOH36D型高稳晶振拥有整洁频谱、高稳定度、低相位噪声、低老化率等优异特性,完全可做为时钟设备本振源,利用较好的驯服补偿算法,守时能力可优于8us@24h;可广泛应用于电信、电力、广电、交通、森林防护、石油勘探、机场建设、仪器仪表等时钟设备中.
产品描述:
KOH25D高稳晶振,选用高真空,高Q,低老化率精密晶体,利用高灵敏积分式控温技术,让OCXO信号输出平稳,并且拥有整洁的频谱质量,高稳定度、低相位噪声、低老化率等特性;KOH25D型高稳晶振耐压值高达18V,开放四种LVTTL,HCMOS,CMOS,Sine可选波形,尺寸大小25×25×13mm.
核心技术指标:
标称频率:10.000MHz
电源电压:3.3V,5V,12V(可选)
启动功耗:<3.8W(持续时间60s)
稳态功耗:<1.2W(持续时间180s)
输出波形:Sine,LVTTL,HCMOS,CMOS(可选)
温度频率稳定度:±10ppb,±5ppb(可选)
频率稳定度(短稳):<5E-12@1s,<1E-11@10s
老化率(最大值):<0.5ppb/day,<0.05ppm/year
相位噪声(典型值):-130dBc@10Hz;-150dBc@100Hz;-158dBc@1KHz;-160dBc@10KHz
典型应用:
KOH25D型高稳晶振拥有整洁频谱、高稳定度、低相位噪声、低老化率等优异特性,完全可做为时钟设备本振源,利用较好的驯服补偿算法,守时能力可优于8us@24h;可广泛应用于电信、电力、广电、交通、森林防护、石油勘探、机场建设、仪器仪表等时钟设备中.
产品描述:
KOH20D高稳晶振,选用高真空,高Q,低老化率精密晶体,利用高灵敏积分式控温技术,让OCXO信号输出平稳,并且拥有整洁的频谱质量,高稳定度、低相位噪声、低老化率等特性;KOH20D型高稳晶振耐压值高达18V,开放四种LVTTL,HCMOS,CMOS,Sine可选波形,尺寸大小20×20×11mm.
核心技术指标:
标称频率:10.000MHz
电源电压:3.3V,5V,12V(可选)
启动功耗:<3.8W(持续时间60s)
稳态功耗:<1.2W(持续时间180s)
输出波形:Sine,LVTTL,HCMOS,CMOS(可选)
温度频率稳定度:±10ppb,±5ppb(可选)
频率稳定度(短稳):<5E-12@1s,<1E-11@10s(可选)
老化率(最大值):<0.5ppb/day,<0.05ppm/year
相位噪声(典型值):-130dBc@10Hz;-150dBc@100Hz;-158dBc@1KHz;-160dBc@10KHz
典型应用:
KOH20D型高稳晶振拥有整洁频谱、高稳定度、低相位噪声、低老化率等优异特性,完全可做为时钟设备本振源,利用较好的驯服补偿算法,守时能力可优于10us@24h;可广泛应用于电信、电力、广电、交通、森林防护、石油勘探、机场建设、仪器仪表等时钟设备中.
典型频率稳定度测量曲线
典型相位噪声测量曲线
在现代时钟设备中,高稳晶振被用做时间和频率的基准源;而频谱纯度、频率稳定度(阿伦方差)、相位噪声及长期老化率等技术指标表征着源的品质,在很大程度大决定着时钟设备的性能;正因如此,高稳OCXO往往被誉为时钟设备的“心脏”。