参数符号额定值单位
集电极 - 基极电压VCBO40 V，
集电极到发射极电压VCEO20 V的
发射极到基极电压VEBO5V
集电极电流（直流）IC200毫安
总功耗PT200兆瓦
结温Tj的150
储存温度范围TSTG-55to+150 参数符号Testconditons最小典型最大单位
集电极截止电流ICBO的VCB=30V，IE浏览器= 0100 NA
发射极截止电流IEBO VEB的= 4V，集成电路=0 100 NA
* HFE直流电流增益的VCE=0.5V，IC= 1mA时40 80180
集电极 - 发射极饱和电压*的VCE（sat）IC= 10mA时，兴业银行为1mA0.130.25 V，
基极 - 发射极饱和电压*的VBE（星期六）的IC=10mA时，IB= 1mA时0.740.85 V
增益带宽乘积FT的VCE=10V，即200=-10mA的500兆赫
输出电容芯的VCB= 10V，IE浏览器= 0，F =频率为1.0MHz6.0 pF的
开启时间ton1220纳秒
存储时间TSTG测试电路720 ns的
关闭时间toff1840纳秒
如需订货了解请联系：0755-83469585 15876845425 翁燕琦
