西门子IGBT,BSM100GB120DN2 场效应管
上海晟浦信息科技发展有限公司
上海市闵行区漕宝路3158号3-601室
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
西门子/BSM100GB120DN2
种类
绝缘栅MOSFET
沟道类型
N沟道
跨导
1（μS）（μS）
最大耗散功率
1（mW）（mW）
导电方式
增强型
开启电压
800（V）（V）V
夹断电压
1200（V）（V）V
极间电容
1（pF）（pF）pF
低频噪声系数
1（dB）（dB）dB
最大漏极电流
200（mA）（mA）A
用途
HF/高频射频放大
封装外形
SP/特殊外形
材料
IGBT绝缘栅比极
