供应全新原装FQP20N60 FQPF20N60 FQA20N60 CS20N60A8H CS20A60A9H CS20N60AN，长期现货价格好优质量好

VDSS=600V,ID=20A ,PD(TC=25℃)250W,RDS(ON)Typ=0.36Ω

硅N沟道增强VDMOSFETs，通过自对准平面技术降低传导损耗，提高开关性能，

可用于各种电源系统的小型化和高效率的开关电路的晶体管。封装形式为TO-220AB，TO-220F TO-3P,符合RoHS标准......

特点：
开关速度快
低电阻（导通电阻≤0.45Ω）
低栅极电荷（典型数据：70nC）
低反向传输电容（典型值32pF）
应用范围：
电源适配器和充电器的开关电路