.供应场效应管1N60 CS1N60A1 FQU1N60C FUD1N60C CS1N60A3 CS1N60A4 长期现货价格最低,我司为一级代理
硅N沟道增强VDMOSFETs,CS1N60A1H,通过自对准平面技术降低传导损耗,提高开关性能,并增强雪崩能量。
可用于各种电源系统的小型化和高效率的开关电路的晶体管。封装形式为TO-92,TO251 TO252符合RoHS标准。 特点:
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