CS1N80A1H  CS1N80A3H  VDSS=800V,ID=1A,PD (TC=25℃)=3W,RDS(ON)Typ 12.0Ω

 是一款硅N沟道增强型号MOS 可降低导通损耗，

提高开关性能和增强的雪崩能量。

 晶体管可以用在各种电源的开关电路，

用于系统的小型化和更高的效率。

封装的形式是TO92符合ROHS标准。

 产品特点：
 快度开关

 低导通电阻（导通电阻≤4.5Ω）
 低栅极电荷（典型数据:8.5nC）
 低反向传输电容（典型：3.8pF）
 100％的单脉冲雪崩能量测试

 可用於：开关电源适配器及充电器。