成箔按照其电压大小可分为低压化成箔（化成电压一般在几十伏到180V）；中压化成箔（化成电压一般在200V伏到500V）;高压化成箔（化成电压一般在500V到1000V）。

在化成工艺中都会用到大功率直流电源，即电容器铝箔专用大功率化成电源。以前各家化成企业主要采用可控硅整流器，该类型的整流器采用了五芯柱变压器、高压大功率晶闸管等技术，并且有恒压、恒流和恒电流密度等特性。但是由于使用工频变压器和工作在低频段，所以整流器体积大、重量重、效率低，性能的进一步提高也受到电体积的限制。20世纪80年代以后，国内外相继研制出第四代直流电源--高频开关电源。变流装置中的普通晶闸管逐渐被新型器件如电力晶体管(GTR) 、场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等取代。以MOSFET和IGBT为功率器件的整流器工作频率提高至20～50KHZ,所以该类整流器又称为高频开关电源。其工作过程是将整流后的直流电源，逆变成高频交流电源，再经整流后获得直流电源。由于采用的是高频率开关工作模式，所以变压器的体积和器件的功耗大大降低，功率因数和运行效率大大提高，是目前整流电源的发展方向。随着IGBT器件功率增加、耐压提高和应用技术的日益成熟，IGBT必将在大多领域中取代晶闸管（SCR），以达到高效、节能目的。