型号：FGA25N120ANTD（25N120）
　　品牌：美国仙童（Fairchild）
　　封装：TO-3P
　　种类：电磁炉、微波炉、电饭煲、炊具专用模块 IGBT
　　概述：FGA25N120ANTD：1200V  NPT-Trench  IGBT
General Description
　　Back to TopUsing Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology,
　　the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.
　　This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating, microwave oven, etc.

　　飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT结合最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。
　　FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。
　　NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型（NPT）技术。
　　这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量，确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。
　　飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim称：
　　在电磁加热设备中，不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况，导致机器瞬间失效。
　　为了解决IH应用中的这些可靠性问题，我们的新型1200V NPT沟道IGBT提供业界最佳的抗雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度及提升总体系统效率”。
　　FGA25N120ANTD的其它特性和系统优势包括：
　　低饱和电压（VCE(sat)，typ＝2.0V，IC=25A和TC=25℃）以限制导通损耗；
　　低开关损耗（Eoff，typ＝0.96mJ，IC=25A和TC=25℃）以减少系统功耗；
　　以及内置FRD（快速恢复二极管）以简化电路设计和减少元件数。
　　FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形式供货，能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。