芯片反向工程（Reverse Engineering）是指从他人的产品入手，进行分解、剖析和综合研究，在广泛搜集产品信息的基础上，通过对尽可能多的同类产品的解体和破坏性研究，运用各种科学测试、分析和研究手段，反向求索该产品的技术原理、结构机制、设计思想、制造方法、加工工艺和原材料特性，从而达到从原理到制造，由结构到材料全面系统地掌握产品的设计和生产技术。
      芯片反向工程在国内被普遍称为反向设计，这表明反向工程在国内常常被直接作为一种设计产品的方法。
      深圳世纪芯集成电路有限公司长期提供芯片失效分析、电路提取与理解等芯片反向设计服务，涉及封装层次去除、芯片染色、拍照、网表/电路图反向提取、电路层次化整理、逻辑功能分析、版图提取与设计、设计规则检查调整、逻辑版图验证、单元库替换以及工艺尺寸的缩放等方面。
     通过这些逆向分析手段，我们可以帮助客户了解其他产品的设计,用于项目可行性研究、打开思路、寻找问题、成本核算等，比如：在进入新领域之前，评估、验证自己技术方案和设计思路的可行性；通过对市场上成熟产品的研究，协助解决关键性的技术问题；利用已有产品的市场资源，降低进入壁垒，实现更好的产品兼容性等等。     芯片失效分析     失效分析属于芯片反向工程开发范畴。世纪芯芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室，配备了国外先进的等离子蚀刻机（RIE）、光学显微镜、电子显微镜（SEM）和聚焦离子束机（FIB）等设备，满足各项失效分析服务的要求。

     封装去除
      世纪芯利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全快速去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
     
    
     芯片开盖

    层次去除
    世纪芯采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法，专业提供去除聚酰亚氨（Polyimide）、去除氧化层（SiO2）、去除钝化层（Si3N4、SiO2）、去除金属层（Al 、CU、W）等芯片去层次技术支持与服务，承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。

   芯片染色
    阱区染色：模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情况，因此需要对芯片进行阱区染色，把P阱和N阱用不同的颜色加以区分。

     

      ROM码点染色：ROM存储模式中有大部分是利用离子注入的方式来区分0和1，当读取ROM中的0和1代码时，就需要对芯片进行染色以区分0和1。
芯片拍照
    为保证良好的拍照效果，我们采用先进光学显微镜和电子显微镜，能够拍摄90nm工艺以上的各种芯片的图像。同时，我们免费为客户进行图像的三维拼接，能够大带同层图像完整无缝、异层图像精确对准的效果。

     电路修改
      我们利用先进的聚焦离子束机（FIB）通过刻蚀和沉积的方法能够修改多层布线的集成电路芯片。主要服务项目包括集成电路芯片引线修改（能够修改最小工艺为90nm）；集成电路芯片材料和成分鉴定；微电路故障分析（最小尺寸为40nm）；制作纳米级的光电子器件、生物传感器件和超到电子器件等。

     网表/电路图反向提取
      在芯片反向设计中，网表/电路图的提取是个很大的课题，网表提取的质量和速度直接影响后续整理、仿真、LVS等方方面面的工作。我们在总结众多成功案例的基础上，依托自主研发的软件应用，可准确、快速、高质量地进行网表/电路图的提取。

     逻辑功能分析
      网表提取结束后，往往需要进行电路的整理工作，把一个打平（flatten）的电路进行层次化（hiberarchy）整理，形成一个电路的层次化结构，以便理解设计者的设计思路和技巧，同时还能达到查找网表错误的目的。

     版图设计
      版图设计是电路逻辑的物理实现，是集成电路产品实现（ChipLogic Layeditor）。我们在反向设计的基础上提供版图的提取、工艺库替换、目标工艺修改、DRC检查和LVS校验等各种设计服务。

     逻辑版图验证