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硅N沟道增强VDMOSFETs，FQP10N60 FQPF10N60 CS10N60A8H CS10N60A9H，

通过自对准平面技术降低传导损耗，提高开关性能，并增强雪崩能量。

可用于各种电源系统的小型化和高效率的开关电路的晶体管。ISTO-220F TO220封装形式，符合RoHS标准

特点：