供应全新原装KDF630P  IRF630 CS630A8H CS630A9H FQP630 

交货方便快捷，库存充足，性价比高

200V,9.3A,Rds(on)(typ)=0.3Ù@Vgs=10V

硅N沟道增强VDMOSFETs

通过自对准平面技术，从而降低了

传导损耗，提高开关性能，可用于各种晶体管

电源开关电路系统小型化和

更高的效率。封装形式为TO-220F，TO220AB 符合符合RoHS标准。

用于汽车，直流电动机控制及D类放大器

VDSS Drain-Source Voltage 200 V

ID

Continuous Drain Current (TC=25 ℃) 9.3 A

Continuous Drain Current (TC=100℃) 6.5 A

IDM Pulsed Drain Current (Note 1) 37 A

VGS Gate-Source Voltage + 30 V