场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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500V高压MOS：
2A50，2HA50，4A50，5HA50，8A60替代2N50，3N50，4N50，5N60，8N50
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1HA65，2N65，3N65，4N65，6N65替代2N65， 4N65，6N65，2N60，4N60，6N60
镇流器ic： smc2153s（可用于led驱动电源）
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