天高微长期供应：MEM2306——双N 沟道增强型功率场效应管MOS
封装：SOP8 2500/盘
双N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
特点：
l 20V/5A
l RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
l 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
应用
l 笔记本电池管理
l 便携式设备
l 电池电源系统
l DC/DC 转换
l负载开关
l LCD 显示适配器
联系方式：0755-33012063 方小姐 QQ：1750292898
公司地址：深圳市福田区华强北鼎城国际614天高微电子有限公司
