CS8N80A8H.CS8N80A9H.VDSS=800V,ID=4A,PD (TC=25℃)=190W,RDS(ON)Typ=0.95.Ω

是一款硅N沟道增强型号MOS 可降低导通损耗，提高开关
性能和增强的雪崩能量。

 晶体管可以用在各种电源的开关电路，

用于系统的小型化和更高的效率。

封装的形式是TO220AB,TO220F

符合ROHS标准。

产品特点：快度开关

 低导通电阻（导通电阻≤1.25）

低栅极电荷（典型数据: 48nC）

低反向传输电容（典型：17pF）
100％的单脉冲雪崩能量测试

可用於：开关电源适配器及充电器..LED灯，太阳能，太阳能逆变器..数码相机，电动玩具

通信 ，汽车电子，风能逆变器，变频器，适配器，节能灯，电脑电源，电子镇流器，不间断电源