CS8N90A8H.CS8N90A9H
VDSS=900V,ID=8A,PD (TC=25℃)=110W,RDS(ON)Typ=1.85.Ω是一款硅N沟道增强型号MOS 可降低导通损耗,提高开关
性能和增强的雪崩能量。
晶体管可以用在各种电源的开关电路,
用于系统的小型化和更高的效率。
封装的形式是TO220AB,TO220F
符合ROHS标准。
产品特点:快度开关
低导通电阻(导通电阻≤1.5)
低栅极电荷(典型数据: 49nC)
低反向传输电容(典型:12pF)
100%的单脉冲雪崩能量测试
可用於:开关电源, 电源适配器和充电器
CS9N90AN.VDSS=900V,ID=9A,PD(T℃)=150W,RDS(ON)Typ=0.95.Ω是一款硅N沟道增强型号MOS 可降低导通损耗,提高开关
性能和增强的雪崩能量。
晶体管可以用在各种电源的开关电路,
用于系统的小型化和更高的效率。
封装的形式是TO3P
符合ROHS标准。
产品特点:
快度开关
低栅极电荷(数据:65nC)
低反向传输电容(典型值:13PF)
100%的单脉冲雪崩能量测试
可用于:PC电源,开关电源