产品介绍：
1. DW01 概述
DW01内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池
的保护 IC。
本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
2. 特点
DW01具备如下特点：
1）高精度电压检测电路
锂电池保护MOSFET:
过充电检测电压 4.30V 精度±50mV
过充电释放电压 4.10V 精度±50mV
过放电检测电压 2.40V 精度±100mV
过放电释放电压 3.00V 精度±100mV
放电过流检测电压 150mV 精度±30mV
负载短路检测电压 0.85V（固定）精度±300mV
2）各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容)
过充电检测延迟时间 典型值100ms
过放电检测延迟时间 典型值50ms
放电过流检测延迟时间 典型值10ms
3）低耗电流
工作模式 典型值3.0μA ，最大值6.0μA（VDD=3.9V）
休眠模式 最大值0.1μA（VDD=2.0V）
4）连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，绝对最大额定值是20V）
5）工作温度范围： -40℃～+85℃
6）小型封装： SOT-23-6
3.应用:
1） 1节锂离子可再充电电池组
2） 1节锂聚合物可再充电电池组
8205参数：
低导通电阻的RDS（ON）=27mΩ最大值。（V GS =4.5V，ID= 6A）
导通电阻RDS（ON），= 36mΩ最大值。（VGS= 2.5V，编号= 5A）
封装形式：SOT-23-6（6脚）
TSSOP-8（8脚）
先进的功率MOSFET利用先进的加工技术，以实现低电阻，非常高效和符合成本效益的设备，最适合锂离子电池的充电和放电开关。
深圳市中科晟科技有限公司
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