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IRFB4110PbF

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TO-220-3, TO-220AB

标准包装

50

类别

分离式半导体产品

家庭

FET - 单

系列

HEXFET®

FET 型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点

逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)

100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

120A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @25° C

4.5 毫欧 @75A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）

4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

210nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds

9620pF @ 50V

功率 - 最大

370W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商设备封装

TO-220AB

包装

管件

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1518 (CN2011-ZH PDF)